导通电阻(RDS(on)):14mΩ@10V,30A,工作温度:-65℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):66nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):2000pF@25V,连续漏极电流(Id):60A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V,30A | |
工作温度 | -65℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 66nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 110W | |
输入电容(Ciss) | 2000pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 60A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |