反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):0.16Ω@10V,7.9A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):40W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.16Ω@10V,7.9A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
耗散功率(Pd) | 40W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥8.1/个 |
10+ | ¥7.37/个 |
50+ | ¥6.96/个 |
100+ | ¥6.51/个 |
500+ | ¥6.31/个 |
1000+ | ¥6.21/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.4032
50 PCS/盘
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