反向传输电容(Crss):15pF,导通电阻(RDS(on)):20Ω@0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):450V,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):360pF,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20Ω@0V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 450V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.72/个 |
| 10+ | ¥6.5/个 |
| 30+ | ¥5.83/个 |
| 100+ | ¥5.07/个 |
| 500+ | ¥4.74/个 |
| 1000+ | ¥4.58/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.2136
2000 PCS/盘
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