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15N10 TO251-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- 15N10 TO251-VB
- 商品编号
- C557918
- 商品封装
- TO-251
- 商品毛重
- 0.000821千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):70pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.11Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):61W,输入电容(Ciss):892pF@25V,输出电容(Coss):110pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.11Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 61W | |
| 输入电容(Ciss) | 892pF@25V | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.275/个 |
| 10+ | ¥1.25/个 |
| 30+ | ¥1.233/个 |
| 80+ | ¥1.173/个 |
| 82+ | ¥1.173/个 |
| 84+ | ¥1.173/个 |
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整盘
单价
整盘单价¥1.173
80 PCS/盘
库存总量
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