温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
2SJ168-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- 2SJ168-VB
- 商品编号
- C557920
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 商品毛重
- 0.000054千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):3Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):2nC@15V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):460mW,输入电容(Ciss):23pF,输出电容(Coss):10pF,连续漏极电流(Id):500mA,阈值电压(Vgs(th)):2V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@15V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 460mW | |
| 输入电容(Ciss) | 23pF | |
| 输出电容(Coss) | 10pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
0.212 / PCS库存总量
8 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车