反向传输电容(Crss):352pF,导通电阻(RDS(on)):0.012Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.015Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):136W,输入电容(Ciss):3000pF,输出电容(Coss):508pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 352pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.012Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.015Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 输入电容(Ciss) | 3000pF | |
| 输出电容(Coss) | 508pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.252/个 |
| 10+ | ¥2.204/个 |
| 30+ | ¥2.176/个 |
| 100+ | ¥2.138/个 |
| 102+ | ¥2.138/个 |
| 104+ | ¥2.138/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.96696
2500 PCS/盘
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