反向传输电容(Crss):291pF,导通电阻(RDS(on)):0.01Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.014Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):40V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):4W,输入电容(Ciss):3007pF@20V,输出电容(Coss):335pF,连续漏极电流(Id):10.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 291pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.01Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.014Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 4W | |
| 输入电容(Ciss) | 3007pF@20V | |
| 输出电容(Coss) | 335pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.325/个 |
| 10+ | ¥2.622/个 |
| 30+ | ¥2.318/个 |
| 100+ | ¥1.948/个 |
| 500+ | ¥1.587/个 |
| 1000+ | ¥1.482/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.482
4000 PCS/盘