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IRF7343TRPBF-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- IRF7343TRPBF-VB
- 商品编号
- C558150
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000136千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):40pF@15V,导通电阻(RDS(on)):0.026Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.055Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):14.5nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):3.1W,耗散功率(Pd):3.4W,输入电容(Ciss):665pF@15V,连续漏极电流(Id):5.3A,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.026Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.055Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 耗散功率(Pd) | 3.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 665pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.542/个 |
| 10+ | ¥2.27/个 |
| 30+ | ¥2.134/个 |
| 100+ | ¥1.998/个 |
| 500+ | ¥1.751/个 |
| 1000+ | ¥1.709/个 |
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