反向传输电容(Crss):80pF@25V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):51nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):96W,输入电容(Ciss):1800pF@25V,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 80pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
耗散功率(Pd) | 96W | |
输入电容(Ciss) | 1800pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥9.444/个 |
10+ | ¥8.126/个 |
30+ | ¥7.302/个 |
100+ | ¥5.585/个 |
500+ | ¥5.202/个 |
1000+ | ¥5.0405/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.0405
2500 PCS/盘