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IRLML6302TRPBF-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- IRLML6302TRPBF-VB
- 商品编号
- C558177
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 商品毛重
- 0.000054千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):155pF,导通电阻(RDS(on)):0.06Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.08Ω@2.5V,导通电阻(RDS(on)):0.065Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):6.4nC@2.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):835pF,输出电容(Coss):180pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.06Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.08Ω@2.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.065Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.4nC@2.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 835pF | |
| 输出电容(Coss) | 180pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.27/个 |
| 50+ | ¥0.264/个 |
| 150+ | ¥0.26/个 |
| 500+ | ¥0.256/个 |
| 510+ | ¥0.256/个 |
| 520+ | ¥0.256/个 |
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