温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE55P05S-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- NCE55P05S-VB
- 商品编号
- C558200
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000137千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):114pF,导通电阻(RDS(on)):0.06Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.063Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):43.4nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):5W,输入电容(Ciss):1500pF,输出电容(Coss):334pF,连续漏极电流(Id):8A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 114pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.06Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.063Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43.4nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1500pF | |
| 输出电容(Coss) | 334pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.05/个 |
| 10+ | ¥3.29/个 |
| 30+ | ¥2.91/个 |
| 100+ | ¥2.53/个 |
| 500+ | ¥2.16/个 |
| 1000+ | ¥2.04/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥1.8768
4000 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉652.8元
送
换料费券¥300
库存总量
1 PCS相似推荐
电话
顶部
元器件购物车