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NTF6P02T3G-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- NTF6P02T3G-VB
- 商品编号
- C558214
- 商品封装
- SOT-223
- 商品毛重
- 0.00017千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):95pF,导通电阻(RDS(on)):0.04Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.048Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@10V,栅极电荷量(Qg):9.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):35V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):4.2W,输入电容(Ciss):970pF,输出电容(Coss):120pF,连续漏极电流(Id):6.2A,阈值电压(Vgs(th)):1.8V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.04Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.048Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 35V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 4.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 970pF | |
| 输出电容(Coss) | 120pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.299/个 |
| 10+ | ¥1.805/个 |
| 30+ | ¥1.596/个 |
| 100+ | ¥1.33/个 |
| 500+ | ¥1.216/个 |
| 1000+ | ¥1.15/个 |
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