温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
NTR4503NT1G-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- NTR4503NT1G-VB
- 商品编号
- C558220
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 商品毛重
- 0.000054千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):17pF,导通电阻(RDS(on)):0.03Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.033Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.5nC@10V,栅极电荷量(Qg):2.1nC@4.5V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.7W,输入电容(Ciss):335pF,输出电容(Coss):45pF,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V@250uA
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.03Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.033Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@10V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 输入电容(Ciss) | 335pF | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
数据手册PDF
放大查看阶梯价格(含税价)
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.334/个 |
| 50+ | ¥0.326/个 |
| 150+ | ¥0.321/个 |
| 500+ | ¥0.315/个 |
| 510+ | ¥0.315/个 |
| 520+ | ¥0.315/个 |
嘉立创SMT补贴
整盘
单价
整盘单价¥0.2898
3000 PCS/盘
省
嘉立创补贴8%
一盘能省掉75.6元
送
换料费券¥300
库存总量
194 PCS电话
顶部
元器件购物车