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RU20P4C-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- RU20P4C-VB
- 商品编号
- C558236
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 商品毛重
- 0.000054千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):130pF@15V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):24nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):1295pF@15V,连续漏极电流(Id):5.6A,阈值电压(Vgs(th)):0.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 24nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 1295pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.538/个 |
| 50+ | ¥0.429/个 |
| 150+ | ¥0.375/个 |
| 500+ | ¥0.334/个 |
| 3000+ | ¥0.277/个 |
| 6000+ | ¥0.261/个 |
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