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SI4848DY-T1-E3&-100-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- SI4848DY-T1-E3&-100-VB
- 商品编号
- C558270
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.000145千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):37pF@50V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):23nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):3.1W,输入电容(Ciss):1735pF@50V,连续漏极电流(Id):5.4A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 37pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 1735pF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.233/个 |
| 10+ | ¥3.485/个 |
| 30+ | ¥3.103/个 |
| 100+ | ¥2.729/个 |
| 500+ | ¥2.253/个 |
| 1000+ | ¥2.134/个 |
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