反向传输电容(Crss):33pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):5.8nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.28W,输入电容(Ciss):510pF,连续漏极电流(Id):6.8A,阈值电压(Vgs(th)):-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.28W | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.299/个 |
| 10+ | ¥1.805/个 |
| 30+ | ¥1.596/个 |
| 100+ | ¥1.33/个 |
| 500+ | ¥1.216/个 |
| 1000+ | ¥1.14/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0918
4000 PCS/盘
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