反向传输电容(Crss):33pF@20V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):5.8nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.28W,输入电容(Ciss):510pF@20V,连续漏极电流(Id):6.8A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 33pF@20V | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 5.8nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 1.28W | |
输入电容(Ciss) | 510pF@20V | |
连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.42/个 |
10+ | ¥1.9/个 |
30+ | ¥1.68/个 |
100+ | ¥1.4/个 |
500+ | ¥1.28/个 |
1000+ | ¥1.2/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.104
4000 PCS/盘
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