反向传输电容(Crss):19.7pF,导通电阻(RDS(on)):2.3Ω@10V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):33W,输入电容(Ciss):676pF@25V,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 19.7pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V,2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 600V | |
耗散功率(Pd) | 33W | |
输入电容(Ciss) | 676pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥2.62/个 |
10+ | ¥2.08/个 |
50+ | ¥1.75/个 |
100+ | ¥1.46/个 |
500+ | ¥1.33/个 |
1000+ | ¥1.25/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.61
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉7元