射基极击穿电压(Vebo):4V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):100@10mA,1.0V,耗散功率(Pd):225mW,集射极击穿电压(Vceo):80V,集射极饱和电压(VCE(sat)):250mV,集电极截止电流(Icbo):0.1uA,集电极电流(Ic):500mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 4V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@10mA,1.0V | |
耗散功率(Pd) | 225mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 80V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA | |
集电极电流(Ic) | 500mA |