射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-65℃~+150℃,晶体管类型:NPN,特征频率(fT):100MHz,直流电流增益(hFE):100@300mA,1.0V,耗散功率(Pd):350mW,集射极击穿电压(Vceo):45V,集射极饱和电压(VCE(sat)):700mV,集电极截止电流(Icbo):100nA,集电极电流(Ic):0.5A
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -65℃~+150℃ | |
晶体管类型 | NPN | |
特征频率(fT) | 100MHz | |
直流电流增益(hFE) | 100@300mA,1.0V | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 700mV | |
集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
集电极电流(Ic) | 0.5A |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.154/个 |
200+ | ¥0.137/个 |
600+ | ¥0.127/个 |
3000+ | ¥0.116/个 |
9000+ | ¥0.111/个 |
21000+ | ¥0.109/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.10672
3000 PCS/盘
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