漏源电压(Vdss):1200V,类型:1个N沟道,耗散功率(Pd):165W,连续漏极电流(Id):31A
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1200V | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 165W | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥149.23/个 |
| 10+ | ¥144.06/个 |
| 30+ | ¥144.06/个 |
| 100+ | ¥144.06/个 |
| 500+ | ¥144.06/个 |
| 1000+ | ¥144.06/个 |
整盘
单价
整盘单价¥142.712
30 PCS/盘
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