反向传输电容(Crss):20pF@25V,导通电阻(RDS(on)):1Ω@10V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):50W,输入电容(Ciss):1132pF@25V,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 20pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V,5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 50W | |
输入电容(Ciss) | 1132pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.321/个 |
50+ | ¥1.75/个 |
150+ | ¥1.545/个 |
500+ | ¥1.289/个 |
2000+ | ¥1.175/个 |
5000+ | ¥1.107/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.61
50 PCS/盘
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