导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):51W,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 51W | |
连续漏极电流(Id) | 12A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.87/个 |
10+ | ¥2.25/个 |
50+ | ¥1.99/个 |
100+ | ¥1.66/个 |
500+ | ¥1.51/个 |
1000+ | ¥1.43/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.8308
50 PCS/盘
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