写周期时间(Tw):200us,块擦除时间(tBE):2ms,存储容量:256Mbit,工作温度:0℃~+70℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:1mA,接口类型:-,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):10年,时钟频率(fc):-,页写入时间(Tpp):200us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | 200us | |
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 存储容量 | 256Mbit | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 1mA | |
| 接口类型 | - | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 200us |