反向传输电容(Crss):6pF@10V,导通电阻(RDS(on)):240mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.7nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.29W,输入电容(Ciss):38pF@10V,连续漏极电流(Id):1.2A,阈值电压(Vgs(th)):0.95V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 6pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@4.5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.7nC | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 0.29W | |
输入电容(Ciss) | 38pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.95V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.498/个 |
50+ | ¥0.441/个 |
150+ | ¥0.412/个 |
500+ | ¥0.391/个 |
2500+ | ¥0.374/个 |
5000+ | ¥0.365/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.3358
10000 PCS/盘
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