反向传输电容(Crss):20pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.45Ω@10V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):400V,耗散功率(Pd):40W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.45Ω@10V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.193/个 |
| 10+ | ¥1.168/个 |
| 50+ | ¥1.152/个 |
| 100+ | ¥1.136/个 |
| 102+ | ¥1.136/个 |
| 104+ | ¥1.136/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.05984
50 PCS/盘
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