反向传输电容(Crss):11pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.48Ω@10V,4.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):450V,耗散功率(Pd):40W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):9A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.48Ω@10V,4.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 450V | |
耗散功率(Pd) | 40W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.333/个 |
10+ | ¥1.306/个 |
50+ | ¥1.288/个 |
100+ | ¥1.269/个 |
102+ | ¥1.269/个 |
104+ | ¥1.269/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.18496
50 PCS/盘
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