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SI4848DY-T1-E3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI4848DY-T1-E3
- 商品编号
- C57665
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.0005千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):85mΩ@10V,3.5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):21nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):-,连续漏极电流(Id):2.7A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@10V,3.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.63/个 |
| 10+ | ¥2.91/个 |
| 30+ | ¥2.55/个 |
| 100+ | ¥2.112/个 |
| 500+ | ¥1.91/个 |
| 1000+ | ¥1.805/个 |
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