射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):300MHz,直流电流增益(hFE):50,耗散功率(Pd):300mW,集射极击穿电压(Vceo):150V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.5V,集电极截止电流(Icbo):50uA,集电极电流(Ic):500mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | 300MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 50 | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 150V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.5V | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0886/个 |
| 500+ | ¥0.0691/个 |
| 3000+ | ¥0.0578/个 |
| 6000+ | ¥0.0513/个 |
| 24000+ | ¥0.0457/个 |
| 51000+ | ¥0.0426/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.05318
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