射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):300MHz,直流电流增益(hFE):50@10mA,5.0V,耗散功率(Pd):300mW,集射极击穿电压(Vceo):150V,集射极饱和电压(VCE(sat)):0.5V@50mA,5mA,集电极截止电流(Icbo):50uA,集电极电流(Ic):500mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 三极管(BJT) | |
射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
晶体管类型 | PNP | |
特征频率(fT) | 300MHz | |
直流电流增益(hFE) | 50@10mA,5.0V | |
耗散功率(Pd) | 300mW | |
集射极击穿电压(Vceo) | 150V | |
集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.5V@50mA,5mA | |
集电极截止电流(Icbo) | 50uA | |
集电极电流(Ic) | 500mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.07/个 |
500+ | ¥0.0544/个 |
3000+ | ¥0.0457/个 |
6000+ | ¥0.0405/个 |
24000+ | ¥0.0359/个 |
51000+ | ¥0.0335/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.04204
3000 PCS/盘
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