反向传输电容(Crss):33pF,导通电阻(RDS(on)):0.16Ω@10V,1.9A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):7nC,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):190pF,连续漏极电流(Id):1.9A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.16Ω@10V,1.9A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.9A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.71/个 |
| 10+ | ¥2.15/个 |
| 30+ | ¥1.91/个 |
| 100+ | ¥1.61/个 |
| 500+ | ¥1.25/个 |
| 1000+ | ¥1.17/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.17
2500 PCS/盘