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GT125N10M
扩展库- 品牌名称
- GOFORD(谷峰)
- 厂家型号
- GT125N10M
- 商品编号
- C581353
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.00168千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):15.1pF@50V,导通电阻(RDS(on)):4.1mΩ@10V,60A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):101.6nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):192W,输入电容(Ciss):6.1246nF@50V,连续漏极电流(Id):130A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.1pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V,60A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 101.6nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 输入电容(Ciss) | 6.1246nF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.38/个 |
| 10+ | ¥4.28/个 |
| 30+ | ¥4.21/个 |
| 100+ | ¥3.98/个 |
| 102+ | ¥3.98/个 |
| 104+ | ¥3.98/个 |
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