反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):4.5mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):60nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):214W,输入电容(Ciss):4.351nF@50V,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V,20A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
耗散功率(Pd) | 214W | |
输入电容(Ciss) | 4.351nF@50V | |
连续漏极电流(Id) | 120A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.89/个 |
10+ | ¥2.82/个 |
30+ | ¥2.78/个 |
100+ | ¥2.73/个 |
500+ | ¥2.73/个 |
1000+ | ¥2.73/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.5576
50 PCS/盘
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