导通电阻(RDS(on)):111mΩ@12V,20A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):51nC@15V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):190W,输入电容(Ciss):1500pF@100V,连续漏极电流(Id):23A,阈值电压(Vgs(th)):6V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 111mΩ@12V,20A | |
工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 51nC@15V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 190W | |
输入电容(Ciss) | 1500pF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 23A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥58.58/个 |
10+ | ¥57.37/个 |
30+ | ¥56.57/个 |
90+ | ¥55.76/个 |
92+ | ¥55.76/个 |
94+ | ¥55.76/个 |
整盘
单价
整盘单价¥52.0444
30 PCS/盘
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