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UJ3C065080K3S
扩展库- 品牌名称
- Qorvo
- 厂家型号
- UJ3C065080K3S
- 商品编号
- C5814995
- 商品封装
- TO-247-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):2.6pF,导通电阻(RDS(on)):111mΩ@12V,20A,导通电阻(RDS(on)):100mΩ,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):51nC@15V,栅极电荷量(Qg):51nC,漏源电压(Vdss):650V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):190W,耗散功率(Pd):190W,输入电容(Ciss):1500pF@100V,输入电容(Ciss):1500pF,输出电容(Coss):104pF,连续漏极电流(Id):23A,连续漏极电流(Id):31A,阈值电压(Vgs(th)):6V,阈值电压(Vgs(th)):6V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 111mΩ@12V,20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@15V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 输入电容(Ciss) | 1500pF@100V | |
| 输入电容(Ciss) | 1500pF | |
| 输出电容(Coss) | 104pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 23A | |
| 连续漏极电流(Id) | 31A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥56.31/个 |
| 10+ | ¥55.1/个 |
| 30+ | ¥54.3/个 |
| 90+ | ¥53.49/个 |
| 92+ | ¥53.49/个 |
| 94+ | ¥53.49/个 |
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