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Si2342DS-T1-GE3-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- Si2342DS-T1-GE3-VB
- 商品编号
- C5878836
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 商品毛重
- 0.000024千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):55pF,导通电阻(RDS(on)):0.022Ω@4.5V,导通电阻(RDS(on)):0.028Ω@2.5V,导通电阻(RDS(on)):0.039Ω@1.8V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12nC@5V,栅极电荷量(Qg):8.8nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):2.1W,输入电容(Ciss):865pF,输出电容(Coss):105pF,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):1V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.022Ω@4.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.028Ω@2.5V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.039Ω@1.8V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.8nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 输出电容(Coss) | 105pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.472/个 |
| 50+ | ¥0.37/个 |
| 150+ | ¥0.319/个 |
| 500+ | ¥0.28/个 |
| 3000+ | ¥0.261/个 |
| 6000+ | ¥0.245/个 |
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