导通电阻(RDS(on)):39mΩ@4.5V,4.6A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):25nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.25W,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1090pF@10V,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@4.5V,4.6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1090pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.62/个 |
| 10+ | ¥2.04/个 |
| 30+ | ¥1.79/个 |
| 100+ | ¥1.48/个 |
| 500+ | ¥1.35/个 |
| 1000+ | ¥1.26/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.1592
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉302.4元