反向传输电容(Crss):41pF,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.34nC,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):390pF,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.34nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.35W | |
| 输入电容(Ciss) | 390pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.236/个 |
| 200+ | ¥0.187/个 |
| 600+ | ¥0.16/个 |
| 3000+ | ¥0.126/个 |
| 9000+ | ¥0.112/个 |
| 21000+ | ¥0.104/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.11592
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉30.24元