反向传输电容(Crss):13.2pF@100V,导通电阻(RDS(on)):39mΩ@10V,36A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):165nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):500W,输入电容(Ciss):7.837nF@100V,连续漏极电流(Id):72A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 13.2pF@100V | |
导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V,36A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 165nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
耗散功率(Pd) | 500W | |
输入电容(Ciss) | 7.837nF@100V | |
连续漏极电流(Id) | 72A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥32.41/个 |
10+ | ¥27.85/个 |
30+ | ¥25.14/个 |
90+ | ¥22.41/个 |
510+ | ¥21.14/个 |
1200+ | ¥20.57/个 |
整盘
单价
整盘单价¥23.1288
30 PCS/盘
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