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TPD65R600M
扩展库- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 厂家型号
- TPD65R600M
- 商品编号
- C596296
- 商品封装
- TO-252
- 商品毛重
- 0.0004千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):1.5pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.6Ω@10V,3.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):63W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.6Ω@10V,3.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 63W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.349/个 |
| 10+ | ¥1.906/个 |
| 30+ | ¥1.685/个 |
| 100+ | ¥1.463/个 |
| 500+ | ¥1.334/个 |
| 1000+ | ¥1.269/个 |
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