反向传输电容(Crss):21pF@75V,导通电阻(RDS(on)):6.25mΩ@10V,100A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):77nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,耗散功率(Pd):333W,输入电容(Ciss):7350pF@75V,连续漏极电流(Id):130A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 21pF@75V | |
导通电阻(RDS(on)) | 6.25mΩ@10V,100A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 150V | |
耗散功率(Pd) | 333W | |
输入电容(Ciss) | 7350pF@75V | |
连续漏极电流(Id) | 130A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥21.54/个 |
10+ | ¥18.65/个 |
30+ | ¥16.93/个 |
100+ | ¥13.7/个 |
500+ | ¥12.9/个 |
800+ | ¥12.54/个 |
整盘
单价
整盘单价¥11.5368
800 PCS/盘
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