反向传输电容(Crss):6.5pF@25V,导通电阻(RDS(on)):920mΩ@10V,5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):33nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,耗散功率(Pd):62W,输入电容(Ciss):1626pF@25V,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 6.5pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 920mΩ@10V,5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 33nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 800V | |
耗散功率(Pd) | 62W | |
输入电容(Ciss) | 1626pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥8.13/个 |
10+ | ¥6.69/个 |
50+ | ¥5.72/个 |
100+ | ¥4.82/个 |
500+ | ¥4.42/个 |
1000+ | ¥4.24/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.2624
50 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉22.88元