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NTMFD5C680NLT1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTMFD5C680NLT1G
- 商品编号
- C604415
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 商品毛重
- 0.000177千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):28mΩ@10V,5A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):5nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):3W,耗散功率(Pd):19W,输入电容(Ciss):350pF@25V,连续漏极电流(Id):7.5A,连续漏极电流(Id):26A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 耗散功率(Pd) | 19W | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.5A | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥15.78/个 |
| 10+ | ¥15.46/个 |
| 30+ | ¥15.24/个 |
| 100+ | ¥15.03/个 |
| 102+ | ¥15.03/个 |
| 104+ | ¥15.03/个 |
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