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NVD5C648NLT4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NVD5C648NLT4G
- 商品编号
- C604537
- 商品封装
- DPAK
- 商品毛重
- 0.000376千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):28pF@25V,导通电阻(RDS(on)):3.4mΩ@10V,45A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):39nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):3.1W,耗散功率(Pd):72W,输入电容(Ciss):2900pF@25V,连续漏极电流(Id):18A,连续漏极电流(Id):89A,阈值电压(Vgs(th)):2.1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 28pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V,45A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 耗散功率(Pd) | 72W | |
| 输入电容(Ciss) | 2900pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 连续漏极电流(Id) | 89A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥16.67/个 |
| 10+ | ¥14.01/个 |
| 30+ | ¥12.34/个 |
| 100+ | ¥10.64/个 |
| 500+ | ¥9.87/个 |
| 1000+ | ¥9.54/个 |
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