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NVF6P02T3G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NVF6P02T3G
- 商品编号
- C604544
- 商品封装
- SOT-223-3
- 商品毛重
- 0.0005千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):150pF@16V,导通电阻(RDS(on)):44mΩ@4.5V,6A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):20nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):8.3W,输入电容(Ciss):1200pF@16V,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):0.7V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@16V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 44mΩ@4.5V,6A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 8.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 1200pF@16V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V |
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