反向传输电容(Crss):21pF@32V,导通电阻(RDS(on)):5.4mΩ@10V,25A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):1020pF@32V,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF@32V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.4mΩ@10V,25A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1020pF@32V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.91/个 |
| 10+ | ¥9.93/个 |
| 30+ | ¥9.32/个 |
| 100+ | ¥8.69/个 |
| 500+ | ¥8.41/个 |
| 1500+ | ¥8.28/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.28
1500 PCS/盘