反向传输电容(Crss):13pF@32V,导通电阻(RDS(on)):7.4mΩ@10V,52A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):16nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):38W,输入电容(Ciss):997pF@32V,连续漏极电流(Id):52A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF@32V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.4mΩ@10V,52A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 38W | |
| 输入电容(Ciss) | 997pF@32V | |
| 连续漏极电流(Id) | 52A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥8.1/个 |
| 10+ | ¥7.38/个 |
| 30+ | ¥6.92/个 |
| 100+ | ¥6.45/个 |
| 500+ | ¥6.24/个 |
| 1500+ | ¥6.15/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.148
1500 PCS/盘
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