反向传输电容(Crss):11pF@25V,导通电阻(RDS(on)):9.8mΩ@10V,25A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9.5nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):46W,输入电容(Ciss):880pF@25V,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@10V,25A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.01/个 |
| 10+ | ¥4.78/个 |
| 30+ | ¥4.17/个 |
| 100+ | ¥3.56/个 |
| 500+ | ¥3.2/个 |
| 1500+ | ¥3.01/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.0057
1500 PCS/盘
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