FET类型:P沟道,反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):300Ω,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅源击穿电压(Vgss):30V,栅源截止电压(VGS(off)):800mV,漏源电流(Idss):1.5mA,耗散功率(Pd):225mW,输入电容(Ciss):11pF,输出电容(Coss):-,配置:-
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| FET类型 | P沟道 | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300Ω | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 800mV | |
| 漏源电流(Idss) | 1.5mA | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 输入电容(Ciss) | 11pF | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 配置 | - |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.16/个 |
| 50+ | ¥1.731/个 |
| 150+ | ¥1.548/个 |
| 500+ | ¥1.319/个 |
| 3000+ | ¥1.166/个 |
| 6000+ | ¥1.105/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.07272
3000 PCS/盘
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