反向传输电容(Crss):36pF@20V,导通电阻(RDS(on)):11mΩ@10V,50A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):28nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):2020pF@20V,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):1.9V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 36pF@20V | |
导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V,50A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | - | |
栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 40V | |
耗散功率(Pd) | 75W | |
输入电容(Ciss) | 2020pF@20V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥6.34/个 |
10+ | ¥5.71/个 |
30+ | ¥5.37/个 |
100+ | ¥4.71/个 |
500+ | ¥4.54/个 |
1000+ | ¥4.46/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.452
2500 PCS/盘
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