导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-65℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):47nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):150W,输入电容(Ciss):2700pF,连续漏极电流(Id):90A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 输入电容(Ciss) | 2700pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.07/个 |
| 10+ | ¥4.99/个 |
| 50+ | ¥4.4/个 |
| 100+ | ¥3.73/个 |
| 500+ | ¥3.43/个 |
| 1000+ | ¥3.29/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.048
50 PCS/盘
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