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DN3525N8-G
扩展库- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 厂家型号
- DN3525N8-G
- 商品编号
- C616348
- 商品封装
- SOT-89-3
- 商品毛重
- 0.001千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):20pF,导通电阻(RDS(on)):6Ω@0V,200mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):350pF@5V,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@0V,200mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF@5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
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