反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):8Ω@4V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):200mW,输入电容(Ciss):13pF,连续漏极电流(Id):100mA,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.121/个 |
| 200+ | ¥0.095/个 |
| 600+ | ¥0.0806/个 |
| 3000+ | ¥0.0683/个 |
| 9000+ | ¥0.0609/个 |
| 21000+ | ¥0.0568/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.0636
3000 PCS/盘
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